一:簡單回答下面問題(共60分)
1、 晶體的空間點陣有多少種?屬于立方晶系的有多少種?
2、 晶體中的缺陷有哪幾種類型?點缺陷有幾種?
3、 晶體中電子的運動有哪些特點?
4、 什么是雜質(zhì)的補償效應?
5、 什么情況下費米能級接近本證費米?
6、 某種半導體由于表面態(tài)使其表面層的能帶向下彎曲形成了反型層,這是什么類型的半導體?
7、 某半導體在一定溫度下,它的霍爾系數(shù)發(fā)生了正負變化,請問這是什么類型的半導體?在什么情況下發(fā)生這樣的變化。
8、 什么情況下,p型半導體的熱費米能級可以近似于本征費米能級。
9、 什么是愛因斯坦關系式,它有什么意義。
10、什么是擴散長度,什么是牽引長度。
11、半導體的接觸電勢差是什么?由什么決定?
12、什么是表面場效應。
二、(15分)由相同原子組成的二維平面晶體圖下圖所示,結構類似于蜂巢的六角形原子組成,請回答
1、畫出布拉伐格子和到倒格子,并且在任選的直角坐標系寫出原基矢和倒基矢表達式。
2、求出原胞個倒原胞的面積。
三、(20分)已知一維晶體的電子能帶可寫成:
(1) 能帶的寬度;
(2) 能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量。
四、(10分)
(1)試畫出金屬-n型半導體接觸時,Wm>Ws,Ws>Wm兩種情況下的能帶圖。
(2)試畫出理想NnP型雙異質(zhì)結的熱平衡能帶圖。
五、(15分)
一個很長的n型半導體樣品,其中心附近長度為2a的范圍內(nèi)被光照射。假定光均勻的穿透樣品,電子—空穴對的產(chǎn)生率為g,試求出小注入情況下樣品中穩(wěn)定少子的分布。
六、(15分)
鍺pn結中的p和n區(qū)的室溫電阻率均為 時,計算pn結的電勢差。若電阻率為時。它的值又是多少?
七、(15分)
試用理想pn結理論推導出pn結的伏安特性關系式并由其說明pn結的整流特性
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