一：簡單回答下面問題(共60分)

　　1、 晶體的空間點陣有多少種?屬于立方晶系的有多少種?

　　2、 晶體中的缺陷有哪幾種類型?點缺陷有幾種?

　　3、 晶體中電子的運動有哪些特點?

　　4、 什么是雜質(zhì)的補償效應?

　　5、 什么情況下費米能級接近本證費米?

　　6、 某種半導體由于表面態(tài)使其表面層的能帶向下彎曲形成了反型層，這是什么類型的半導體?

　　7、 某半導體在一定溫度下，它的霍爾系數(shù)發(fā)生了正負變化，請問這是什么類型的半導體?在什么情況下發(fā)生這樣的變化。

　　8、 什么情況下，p型半導體的熱費米能級可以近似于本征費米能級。

　　9、 什么是愛因斯坦關系式，它有什么意義。

　　10、什么是擴散長度，什么是牽引長度。

　　11、半導體的接觸電勢差是什么?由什么決定?

　　12、什么是表面場效應。

　　二、(15分)由相同原子組成的二維平面晶體圖下圖所示，結構類似于蜂巢的六角形原子組成，請回答

　　1、畫出布拉伐格子和到倒格子，并且在任選的直角坐標系寫出原基矢和倒基矢表達式。

　　2、求出原胞個倒原胞的面積。

　　三、(20分)已知一維晶體的電子能帶可寫成：

　　 式中，a為晶格常數(shù)。試求：

　　(1) 能帶的寬度;

　　(2) 能帶底部和頂部電子的有效質(zhì)量。

　　四、(10分)

　　(1)試畫出金屬-n型半導體接觸時，Wm>Ws，Ws>Wm兩種情況下的能帶圖。

　　(2)試畫出理想NnP型雙異質(zhì)結的熱平衡能帶圖。

　　五、(15分)

　　一個很長的n型半導體樣品，其中心附近長度為2a的范圍內(nèi)被光照射。假定光均勻的穿透樣品，電子—空穴對的產(chǎn)生率為g，試求出小注入情況下樣品中穩(wěn)定少子的分布。

　　六、(15分)

　　鍺pn結中的p和n區(qū)的室溫電阻率均為 時，計算pn結的電勢差。若電阻率為時。它的值又是多少?

　　七、(15分)

　　試用理想pn結理論推導出pn結的伏安特性關系式并由其說明pn結的整流特性